基于硅基底或SOI基底进行流片和工艺开发，提供定制化流片服务
主要工艺模块包括：180nm精度DUV光刻、 500nm精度i-line光刻、低损氮化硅芯层沉积、4μm-8μm包层、TiN加热器以及金属互连等工艺。
基于硅基底，平台已形成核心PDK器件库。主要包括：200nm和400nm厚度低损条形氮化硅波导、弯曲波导、MMI、波导交叉、DC 、Y分支以及微环等无源器件。
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