220nm SOI基底

基于220nm顶硅的SOI衬底进行流片和工艺开发，提供定制化流片服务

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基于220nm顶硅的SOI衬底的光子集成流片服务为了满足客户的特殊工艺要求，可提供工艺定制服务。

主要工艺模块包括：180nm精度DUV光刻、220nm/150nm/70nm高精度刻蚀工艺、增强型Poly-Si光栅工艺、锗材料外延工艺、高速调制器和锗探测器的掺杂工艺、介质材料生长工艺、TiN加热器电极工艺、钨填充孔工艺、硅和锗的欧姆接触及金属互连工艺等。